LID یا تخریب ناشی از نور که مخفف عبارت Light Induced Degradation می باشد باعث کاهش عملکرد پنل های خورشیدی سیلیکون کریستالی است که از همان ساعات اولیه قرار گرفتن در معرض نور خورشید اتفاق می افتد. این تلفات عمدتا بر عملکرد واقعی ماژول های نصب شده با توجه به اطلاعات کاتالوگ ارائه شده توسط برخی از ارائه دهندگان ماژول فتوولتائیک تأثیر می گذارد.
در پنلهای کریستالی زمانی که عنصر بور به عنوان ناخالصی سه ظرفیتی در سیلیکون تزریق شده باشد و در فرآیند تولید اکسیژن نیز در سیلیکون مذاب راه پیدا کند، در ساعات و هفته های آغازین عملکرد سلول، افتی در تولید انرژی الکتریکی خواهیم داشت. عملا این تلفات به کیفیت ویفر مربوط است و معمولا بین 1% تا 5% می باشد. حضور بور و اکسیژن در کنار هم باعث می شود جلوی حرکت الکترونها گرفته شود تا به حفره ها راه پیدا نکنند. این پدیده در پنلهای P-Type رخ می دهد و در پنلهای N-Type (با تاثیرگذاری فسفر) مانند پنلهای HIT و PERC رخ نخواهد داد و یا به حداقل می رسد.
بررسی تلفات LID در پنل های خورشیدی N-type و P-type
همانطور که می دانیم یک سلول خورشیدی از نوع کریستالی، از دو لایه سیلیکون نوع n و p تشکیل شده است که ناخالصی تزریقی به سیلیکون در نوع n، فسفر بوده و ناخالصی تزریقی به سیلیکون در نوع p، بور می باشد. در سلول های نوع n ضخامت قسمت نوع n بیشتر بوده و تکنولوژی تولید نیز به کل متفاوت می باشد و از مهمترین عیب سلول های نوع p که تلفات LID در حضور عنصر بور است، دور شده است. ضمن اینکه طول عمر آنها نیز بالاتر است. میزان بازترکیب الکترون حفره ها نیز کمتر بوده که به افزایش راندمان کمک می کند.
